【CNMO科技消息】7月14日，市场研究机构Omdia发布的数据显示，2026年全球高带宽存储器（HBM）的产量预计将同比增长103%，实现翻倍以上的增长。三星电子、SK海力士与美光三大内存巨头正在主导这一轮产能扩张，但即便如此，HBM供不应求的局面仍将持续。
三星与海力士
半导体行业通常以存储容量的最小单位“比特”（bit）作为产量计算标准。按此口径，全球HBM产量在一年内增长超过一倍。HBM在DRAM总产量中的比特占比预计将从2025年的12%上升至2026年的15%，提升3个百分点。另有预测显示，到2027年这一比例有望进一步扩大至30%。
三大内存厂商均已启动大规模HBM产能投资与扩建。三星电子计划2026年在设备投资与研发上投入超过110万亿韩元，较上年增长约22%。SK海力士的设备投资也将实现两位数增长。美光虽在三大厂商中HBM产能最小，但其设备投资计划较上年大幅增长超过90%。业界预测，2026年内存企业在设备投资上的总规模将达到647亿美元（约97万亿韩元）。
然而，即便产能快速扩张，DRAM的需求满足率预计今年仍将维持在1.0倍以下，供应短缺状态难以根本缓解。
HBM供应持续紧张的根本原因在于其生产工艺的特殊性。HBM由多个DRAM芯片垂直堆叠而成，属于高附加值存储器产品。单颗HBM芯片的尺寸比普通DRAM芯片大两倍以上，在相同存储容量下，HBM消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通DRAM的三倍。
与此同时，AI推理负载的持续增长正在推高服务器对HBM的需求。据行业数据，单台服务器的平均DRAM搭载量预计将从2025年的1032GB增至2026年的1432GB，增幅约39%。
在价格端，内存三巨头目前正以长期供应协议（LTA）方式向英伟达等主要客户供应HBM，提前锁定未来1至2年的供货量与价格。这种定价机制导致近期通用DRAM价格因市场供需紧张而快速攀升，一度出现通用DRAM价格反超HBM的“价格倒挂”现象。
进入2026年下半年，通用DRAM价格的上涨势头已有所放缓。据DRAMeXchange数据，5月PC用通用DRAM（DDR4 8Gb 1G×8）平均固定交易价格为21美元，环比仅上涨5%，涨幅较上月的10%收窄了一半。
有证券研究员分析指出：“通用DRAM和NAND的价格涨幅正在逐步放缓，预计明年将回落至个位数水平”，“供应短缺本身将持续到明年，但通用DRAM的利润率已接近90%，内存厂商的重心正从单纯提价转向扩大与客户的长期供应合作”。对于HBM，该研究员表示：“由于去年年度供应合同中价格已被锁定，目前HBM处于相对较低的价格区间。预计明年初将迎来一轮价格上涨，此后将保持平稳走势”。
三星工厂与海力士工厂
在三大厂商中，三星电子尤为值得关注。作为去年HBM市场的后来者，三星预计今年HBM销售额将较上年增长三倍以上。三星已在第六代HBM4产品上率先向主要客户实现出货，市场份额正在迅速扩大。
三星电子存储器战略营销室副社长金在俊在上一季度业绩电话会议上表示：“HBM4自今年2月全球首次量产出货以来，正按计划稳步爬坡，下半年供应量将大幅扩大”，“预计从今年第三季度起，HBM4将占三星HBM总销售额的一半以上，全年HBM销售额中HBM4的占比也将过半”。
受HBM市场高增长预期的推动，多家机构已上调2026年内存行业整体营收预测。市场研究机构TechInsights预计，2026年全球内存销售额将较上年实现显著增长。
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